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John Wilson fue

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Alta pureza 99,97% de tungsteno Condición de la superficie del suelo objetivo para el recubrimiento de pulverización

Número de modelo	Objetivo de tungsteno
Cantidad de orden mínima	negocie
Precio	Negitionable
Detalles de empaquetado	Cartones de exportación estándar
Tiempo de entrega	30 días después de recibir el pago inicial
Condiciones de pago	L/C, D/A, D/P, T/T
Capacidad de la fuente	10000sets/month

Éntreme en contacto con gratis las muestras y los vales.

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Datos del producto

Nombre	Objetivo de tungsteno	Forma de las piezas	En redondo
El material	TUNGSTENO	Composición química	99,97%
Condición superficial	torneado, de tierra, puliendo o pulido del espejo	Aplicación	Revestimiento por pulverización
Alta luz	Objetivo de tungsteno molido , Objetivo de tungsteno de revestimiento por pulverización

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Descripción de producto

Meta de tungsteno de alta pureza 99,97% para el recubrimiento por pulverización

Introducción

1El objetivo de pulverización de tungsteno adopta las técnicas mejor demostradas, incluida la fluorescencia de rayos X (XRF), la espectrometría de masas de descarga de brillo (GDMS) y el plasma acoplado inductivamente (ICP);
2El objetivo de tungsteno de Achemetal se proporciona con una alta pureza de hasta 99,97%, densidad de 18,8-19 g/cm3, estructura de organización homogénea y grano fino;
3Nuestro objetivo de pulverización de tungsteno ha sido aprobado por la ASTM B 760-2007 y GB 3875-2006.

Parámetro

OD (mm)	Identificación en mm	Duración ((mm)	Hecho a medida
140 a 300	120 a 280 años	100 a 3300	Hecho a medida

Número de modelo	W1
Forma de las piezas	personalizado
Composición química	99.95% de agua

Características

1. Alta densidad
2. Alta resistencia al desgaste
3Alta conductividad térmica con bajo coeficiente de expansión térmica

Especificación

Número atómico	74
Número CAS	7440-33-7
Masa atómica	183.84 [g/mol]
Punto de fusión	3420 °C
Punto de ebullición	5555 °C
Densidad a 20 °C	19.25 [g/cm3]
Estructura de cristal	Cubo centrado en el cuerpo
Coeficiente de expansión térmica lineal a 20 °C	4.410-6[m/mK]
Conductividad térmica a 20 °C	Se aplicará el procedimiento siguiente:
Calor específico a 20 °C	0.13 [J/gK]
Conductividad eléctrica a 20 °C	18.2106[S/m]
Resistencia eléctrica específica a 20 °C	0.055 [(mm2) /m]

Las aplicaciones

el semiconductor

deposición de vapor químico (CVD)

Display de deposición física de vapor (PVD)

Etiquetas:

Objetivo de tungsteno molido

Objetivo de tungsteno de revestimiento por pulverización

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