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W1 Productos de tungsteno Objetivo de pulverización de tungsteno giratorio con trenza
| Número de modelo | Blanco de la farfulla del tungsteno |
|---|---|
| Cantidad de orden mínima | negocie |
| Precio | Negitionable |
| Detalles de empaquetado | Cartones de exportación estándar |
| Tiempo de entrega | 30 días después de recibir el pago inicial |
| Condiciones de pago | L/C, D/A, D/P, T/T |
| Capacidad de la fuente | 10000sets/month |
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xDatos del producto
| Nombre | Blanco de la farfulla del tungsteno | Forma de las piezas | En redondo |
|---|---|---|---|
| El material | TUNGSTENO | Composición química | W 99,95% mínimo. |
| Condición superficial | torneado, de tierra, puliendo o pulido del espejo | Aplicación | lleve - la capa resistente y resistente a la corrosión de la película fina |
| Alta luz | Productos de tungsteno con trenzas,Objetivo de pulverización de tungsteno con trenzas,Objetivo de pulverización de tungsteno giratorio |
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Descripción de producto
Objetivo de pulverización giratorio de tungsteno
Los objetivos de tungsteno se utilizan principalmente en la industria aeroespacial, fundición de tierras raras, fuentes de luz eléctrica, equipos químicos, equipos médicos, maquinaria metalúrgica, equipos de fundición y petróleo, etc.
Parámetro
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OD (mm) |
Identificación en mm |
Duración ((mm) |
Hecho a medida |
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140 a 300 |
120 a 280 años |
100 a 3300 |
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Número de modelo |
W1 |
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|
Forma de las piezas |
personalizado |
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|
Composición química |
99.95% de agua |
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Características
1.Alta densidad
2. Alta resistencia al desgaste
3Alta conductividad térmica con bajo coeficiente de expansión térmica
4.Alta capacidad de amortiguación de vibraciones y alto módulo de Young
5.Alta resistencia a la oxidación y a la corrosión
Especificación
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Número atómico |
74 |
|
Número CAS |
7440-33-7 |
|
Masa atómica |
183.84 [g/mol] |
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Punto de fusión |
3420 °C |
|
Punto de ebullición |
5555 °C |
|
Densidad a 20 °C |
19.25 [g/cm3] |
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Estructura de cristal |
Cubo centrado en el cuerpo |
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Coeficiente de expansión térmica lineal a 20 °C |
4.410-6[m/mK] |
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Conductividad térmica a 20 °C |
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
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Calor específico a 20 °C |
0.13 [J/gK] |
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Conductividad eléctrica a 20 °C |
18.2106[S/m] |
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Resistencia eléctrica específica a 20 °C |
0.055 [(mm2) /m] |
Las aplicaciones
el semiconductor
deposición de vapor químico (CVD)
Display de deposición física de vapor (PVD)
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