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xDatos del producto
| Nombre | Anillo del tungsteno | Peso molecular | 183,85 |
|---|---|---|---|
| Punto de fusión | °C 3410 | Densidad | 19,3 g/cm3 |
| Aplicación | semiconductor, deposición de vapor químico (CVD) | Resistencia a la tensión | MPa 750 |
| Alta luz | Productos de tungsteno puro,Anillo de tungsteno de 750 MPa,Productos de tungsteno 750 MPa |
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Descripción de producto
99.95% Productos de tungsteno puro Anillo de tungsteno para semiconductores
Introducción
Grado: W 1
Purificación: > 99,95%
Densidad: 17,1 g / cm 3-19,3 g / cm 3
Tamaño: Diámetro > 10 mm * espesor > 0,1 mm
Técnica de transformación: laminado en frío/mecanizado
Superficie: superficie pulida/superficie mecanizada
Color: color de metal
Condición: recocido al vacío
Punto de fusión: 3410 grados
Punto de ebullición: 5927 grados
Tiempo de entrega: 3 a 10 días
Parámetro
|
Peso molecular |
183.85 |
|---|---|
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Apariencia |
De color azul |
|
Punto de fusión |
3410 °C |
|
Punto de ebullición |
5900 °C |
|
Densidad |
19.3 g/cm3 |
|
Solubilidad en H2O |
No incluido |
|
Resistencia eléctrica |
5.65 μΩ ·m (27 °C) |
|
Electronegatividad |
1.7 Paulings |
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Calor de la fusión |
35.3 kJ/mol |
|
Calor de la vaporización |
8060,7 kJ/mol |
|
La proporción de Poisson |
0.28 |
|
Calor específico |
0.133 J/g mol (20 °C) |
|
Resistencia a la tracción |
750 MPa |
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Conductividad térmica |
1.73 W/m K |
|
Expansión térmica |
(25 °C) 4,5 μm·m-1·K-1 |
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Dureza de Vickers |
Se aplican las siguientes condiciones: |
|
El módulo de Young |
411 GPa |
Aplicaciones de anillos de tungsteno
1. ampliamente utilizado en semiconductores, deposición química de vapor (CVD) y deposición física de vapor (PVD) de visualización y aplicaciones ópticas;
2. aplicados en la fabricación de electrodos, elementos de calefacción, escudos térmicos, bandejas de sinterización, botes de sinterización, láminas de apilamiento, placas de base, objetivos de pulverización, crisollas en aplicaciones electrónicas y al vacío.
3. pueden utilizarse como contactos en motores de vehículos.
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